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Artigo de periodico
Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells (2003)
Cavalheiro, A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Takahashi, E K; Martini, S; Silva, M J da; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: SUPERCONDUTIVIDADE
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ABNT
CAVALHEIRO, A et al. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 15, n. 2, p. 121-132, 2003Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Cavalheiro, A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Takahashi, E. K., Martini, S., Silva, M. J. da, et al. (2003). Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 15( 2), 121-132. Recuperado de http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf
NLM
Cavalheiro A, Silva ECF da, Quivy AA, Takahashi EK, Martini S, Silva MJ da, Meneses EA, Leite JR. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 ; 15( 2): 121-132.[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf
Vancouver
Cavalheiro A, Silva ECF da, Quivy AA, Takahashi EK, Martini S, Silva MJ da, Meneses EA, Leite JR. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 ; 15( 2): 121-132.[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf
Artigo de periodico
Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well (2002)
Cavalheiro, A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Takahashi, E K; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Meneses, E A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: EFEITO MOSSBAUER, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CAVALHEIRO, A et al. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75320/1-75320/7, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Cavalheiro, A., Silva, E. C. F. da, Takahashi, E. K., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (2002). Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well. Physical Review B, 65( 7), 75320/1-75320/7. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips
NLM
Cavalheiro A, Silva ECF da, Takahashi EK, Quivy AA, Leite JR, Meneses EA. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75320/1-75320/7.[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips
Vancouver
Cavalheiro A, Silva ECF da, Takahashi EK, Quivy AA, Leite JR, Meneses EA. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75320/1-75320/7.[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips
Trabalho de evento
Sistema de transformação e micropropagação de Passiflora edulis Sims F. flavicarpa Deg (2001)
Takahashi, E K; Falco, M C; Vieira, L G; Pereira, L F P; Vieira, M L C
Source: A genética no seculo XXI; desafios. Conference titles: Congresso Nacional de Genética. Unidade: ESALQ
Subjects: MARACUJÁ, RESISTÊNCIA GENÉTICA VEGETAL, TRANSFERÊNCIA DE GENES, PROPAGAÇÃO VEGETAL
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Sistema de transformação e micropropagação de Passiflora edulis Sims F. flavicarpa Deg. 2001, Anais.. Aguas de Lindoia: SBG, 2001. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Falco, M. C., Vieira, L. G., Pereira, L. F. P., & Vieira, M. L. C. (2001). Sistema de transformação e micropropagação de Passiflora edulis Sims F. flavicarpa Deg. In A genética no seculo XXI; desafios. Aguas de Lindoia: SBG.
NLM
Takahashi EK, Falco MC, Vieira LG, Pereira LFP, Vieira MLC. Sistema de transformação e micropropagação de Passiflora edulis Sims F. flavicarpa Deg. A genética no seculo XXI; desafios. 2001 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Falco MC, Vieira LG, Pereira LFP, Vieira MLC. Sistema de transformação e micropropagação de Passiflora edulis Sims F. flavicarpa Deg. A genética no seculo XXI; desafios. 2001 ;[citado 2024 maio 04 ]
Artigo de periodico
Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields (1997)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TAKAHASHI, E K e LINO, A T e SCÓLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, v. 11, n. 9, p. 1195-1207, 1997Tradução . . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., & Scólfaro, L. M. R. (1997). Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, 11( 9), 1195-1207.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados (1996)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 04 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields (1996)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' (1995)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos (1994)
Takahashi, E K; Lino, A T; Schmidt, T M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Schmidt, T. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores (1994)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., & Leite, J. R. (1994). Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Eletronic structure of semiconductors of group iv and iii-v compounds by the self-consistent variational cellular method (1990)
Ferraz, A. C.; Takahashi, E K; Leite, J. R.
Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e TAKAHASHI, E K e LEITE, J. R. Eletronic structure of semiconductors of group iv and iii-v compounds by the self-consistent variational cellular method. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., Takahashi, E. K., & Leite, J. R. (1990). Eletronic structure of semiconductors of group iv and iii-v compounds by the self-consistent variational cellular method. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Takahashi EK, Leite JR. Eletronic structure of semiconductors of group iv and iii-v compounds by the self-consistent variational cellular method. 1990 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Ferraz AC, Takahashi EK, Leite JR. Eletronic structure of semiconductors of group iv and iii-v compounds by the self-consistent variational cellular method. 1990 ;[citado 2024 maio 04 ]
Artigo de periodico
Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method (1990)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, v. 41, n. 3 , p. 1691-4, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1990). Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, 41( 3 ), 1691-4. doi:10.1103/physrevb.41.1691
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method [Internet]. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method [Internet]. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691
Trabalho de evento-resumo
Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds (1989)
Takahashi, E K; Ferraz, A. C.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K e FERRAZ, A. C. Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds. 1989, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., & Ferraz, A. C. (1989). Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Ferraz AC. Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Ferraz AC. Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional (1988)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1988). Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 maio 04 ]
Artigo de periodico
Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium (1988)
Lino, A T; Takahashi, E K; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Revista Brasileira de Fisica. Unidade: IF
Assunto: SÓDIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica, v. 18, n. 1 , p. 11-29, 1988Tradução . . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1988). Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica, 18( 1 ), 11-29.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 1 ): 11-29.[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 1 ): 11-29.[citado 2024 maio 04 ]
Artigo de periodico
Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method (1987)
Lino, A T; Takahashi, E K; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: International Journal of Quantum Chemistry Symposia. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, v. 21, p. 105-13, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560320714. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1987). Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, 21, 105-13. doi:10.1002/qua.560320714
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 105-13.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320714
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 105-13.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320714
Artigo de periodico
Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon (1987)
Lino, A T; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.; Takahashi, E K
Source: Journal of Physics and Chemistry of Solids. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 48, n. 10, p. 911-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90127-2. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Ferraz, A. C., & Takahashi, E. K. (1987). Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 48( 10), 911-9. doi:10.1016/0022-3697(87)90127-2
NLM
Lino AT, Leite JR, Ferraz AC, Takahashi EK. Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon [Internet]. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1987 ;48( 10): 911-9.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90127-2
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Ferraz AC, Takahashi EK. Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon [Internet]. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1987 ;48( 10): 911-9.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90127-2
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional (1985)
Takahashi, E K; Lino, A T; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 maio 2024. , 1985
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1985). Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 maio 04 ]

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